5月12日-17日,在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域最頂級的學(xué)術(shù)年會(huì)——第三十屆國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)(IEEE ISPSD 2018)上,九三學(xué)社社員、微電子學(xué)家、中國科學(xué)院院士陳星弼因?qū)ΤY(jié)功率半導(dǎo)體器件的卓越貢獻(xiàn)入選ISPSD首屆名人堂,成為國內(nèi)首位入選名人堂的華人科學(xué)家。
大會(huì)主席Jhon Shen和顧問Mutsuhiro Mori共同為陳星弼(中)頒獎(jiǎng)
授獎(jiǎng)儀式和慶祝晚宴于5月16日晚在美國芝加哥舉行。大會(huì)主席Jhon Shen和顧問Mutsuhiro Mori共同為陳星弼頒獎(jiǎng)。
ISPSD首屆名人堂入選者是由ISPSD委員會(huì)根據(jù)成立30年以來全球相關(guān)領(lǐng)域的科學(xué)家對功率半導(dǎo)體器件與功率集成電路做出的貢獻(xiàn)進(jìn)行評選。此次全球僅有32位科學(xué)家入選。
在2015年第二十七屆國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)(IEEE ISPSD 2015)上,陳星弼因?qū)Ω邏汗β蔒OSFET理論與設(shè)計(jì)的卓越貢獻(xiàn)獲得大會(huì)頒發(fā)的最高榮譽(yù)“國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”(ISPSD 2015 Pioneer Award),成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學(xué)家。
ISPSD是國際電氣與電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)主辦的不帶地區(qū)色彩的高水平學(xué)術(shù)會(huì)議,是功率器件領(lǐng)域的頂級國際學(xué)術(shù)會(huì)議。該會(huì)每年舉辦一屆,自1992年的第三屆開始,輪流在日本(2007年為韓國)、美國(1999年為加拿大)和歐洲舉辦。自2015年起,中國成為該會(huì)的常任舉辦國之一。
陳星弼,1931出生于上海。微電子學(xué)家。教授,博士生導(dǎo)師,1999年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士。2001年加入九三學(xué)社。他1952年畢業(yè)于同濟(jì)大學(xué),后在廈門大學(xué)、南京工學(xué)院及中國科學(xué)院物理研究所工作。1956年開始在成都電訊工程學(xué)院工作。1980年美國俄亥俄州大學(xué)作訪問學(xué)者。1981年加州大學(xué)伯克萊分校作訪問學(xué)者、研究工程師。1983年任電子科技大學(xué)微電子科學(xué)與工程系系主任、微電子研究所所長。他著書7本,發(fā)表學(xué)術(shù)論文110多篇,申請中國發(fā)明專利20項(xiàng)(已授權(quán)17項(xiàng)),申請美國發(fā)明專利19項(xiàng)(已授權(quán)16項(xiàng),另有兩項(xiàng)已通知準(zhǔn)備授權(quán)),申請國際發(fā)明專利1項(xiàng)。獲國家發(fā)明獎(jiǎng)及科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng),省部級獎(jiǎng)勵(lì)13項(xiàng),完成國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、軍事研究項(xiàng)目、國家“八五”科技攻關(guān)項(xiàng)目多項(xiàng)。