郝躍，中國(guó)科學(xué)院院士，微電子學(xué)專(zhuān)家。2014年加入九三學(xué)社?，F(xiàn)任西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授、博士生導(dǎo)師，1958年3月生于重慶市，1982年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專(zhuān)業(yè)。1990年在西安交通大學(xué)計(jì)算數(shù)學(xué)專(zhuān)業(yè)獲博士學(xué)位；國(guó)際IEEE學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員，中國(guó)電子學(xué)會(huì)常務(wù)理事，國(guó)家中長(zhǎng)期規(guī)劃綱要“核心電子器件、高端通用芯片和基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”科技重大專(zhuān)項(xiàng)實(shí)施專(zhuān)家組組長(zhǎng)，總裝備部微電子技術(shù)專(zhuān)家組組長(zhǎng)，國(guó)家電子信息科學(xué)與工程專(zhuān)業(yè)指導(dǎo)委員會(huì)副主任委員。國(guó)家重大基礎(chǔ)研究計(jì)劃（973計(jì)劃）項(xiàng)目首席科學(xué)家、國(guó)家有突出貢獻(xiàn)的中青年專(zhuān)家和微電子技術(shù)領(lǐng)域的著名專(zhuān)家，國(guó)家電子信息科學(xué)與工程專(zhuān)業(yè)指導(dǎo)委員會(huì)副主任委員。第九、第十屆全國(guó)政協(xié)委員和第十一屆全國(guó)人大代表。曾獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)1項(xiàng)，國(guó)家科技進(jìn)步二、三等獎(jiǎng)各1項(xiàng)。
科研概述
長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)，是國(guó)家重大基礎(chǔ)研究(973)計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家、國(guó)家有突出貢獻(xiàn)的中青年專(zhuān)家和微電子技術(shù)領(lǐng)域的著名專(zhuān)家。他在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體照明短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
研究方向
郝躍教授主要從事理論和基礎(chǔ)性研究，研究方向?yàn)榧呻娐房煽啃栽O(shè)計(jì)與統(tǒng)計(jì)最優(yōu)化理論和方法，IC制造動(dòng)力學(xué)理論和方法的研究，以及可靠設(shè)計(jì)技術(shù)和方法學(xué)研究。在該領(lǐng)域研究中，取得了創(chuàng)造性成果，提出了利用分形描述硅片缺陷的空間分布和粒徑分布的理論，實(shí)現(xiàn)了集成電路功能成品率表征與最優(yōu)化設(shè)計(jì)系統(tǒng)。在該方向他先后承擔(dān)國(guó)家科技攻關(guān)、軍事電子預(yù)研、863高科技項(xiàng)目和各類(lèi)基金項(xiàng)目七項(xiàng)。先后在國(guó)內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物和會(huì)議上發(fā)表論文80余篇，出版專(zhuān)(合)著五部，獲得國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)1項(xiàng)，省部級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)4項(xiàng)。近幾年，他先后被評(píng)為電子工業(yè)部有突出貢獻(xiàn)專(zhuān)家、全國(guó)電子工業(yè)系統(tǒng)先進(jìn)工作者、陜西省“十大杰出科技青年”和“新長(zhǎng)征突擊手”，入選國(guó)家教委“跨世紀(jì)優(yōu)秀人才”計(jì)劃。
主要研究領(lǐng)域包括寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，深亞微米及超深亞微米器件物理，集成電路可制造性和可靠性理論與方法等。先后主持了多項(xiàng)國(guó)家科技攻關(guān)、863高科技項(xiàng)目、973計(jì)劃項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目，取得了突出成就。研究成果獲國(guó)家八五重大科技成果獎(jiǎng)一項(xiàng)，國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)一項(xiàng)，國(guó)家科技進(jìn)步二、三等獎(jiǎng)各一項(xiàng)；電子工業(yè)部科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)一項(xiàng)；省部級(jí)科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)一項(xiàng)，二等獎(jiǎng)三項(xiàng)，三等獎(jiǎng)四項(xiàng)；光華科技二等獎(jiǎng)一項(xiàng)。并獲得了2010年度“何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)”，于2005年和2011年兩次當(dāng)選“科學(xué)中國(guó)人”年度人物。在國(guó)內(nèi)外著名刊物和重要國(guó)際會(huì)議上發(fā)表論文200余篇，其中SCI 180余篇，被他引600余次（截止2013年5月），專(zhuān)著3本，國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利7項(xiàng)。
科研成果
主持的科研成果獲得國(guó)家發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)一項(xiàng)，國(guó)家科技進(jìn)步二、三等獎(jiǎng)各一項(xiàng)；省部級(jí)科技成果一、二等獎(jiǎng)十余項(xiàng)；獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)二十余項(xiàng)。
論著
出版了“氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件”、“微納米MOS器件可靠性與失效機(jī)理”、“碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)”、“集成電路制造動(dòng)力學(xué)理論與方法”等多本著作，在國(guó)內(nèi)外著名期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文300余篇，有200余篇被SCI收錄。
